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采用热壁物理气相沉积法(hot-wall PVD)制备HgI2多晶厚膜，采用XRD、金相显微镜等手段对其进行表征，结果表明多晶HgI2厚膜呈定向(001)晶向生长且晶粒尺寸大小均匀。并分析讨论了不同温度对厚膜生长的影响。通过对其I-V特性的测试表明其具有高的电阻率(达10^11Ω·cm)和较好的线性关系。