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文章对铌酸锂声表面波SMD的全陶瓷封装中存在的技术难点及解决方法进行了浅析。通过降低温度梯度，环氧树脂中掺入晶态二氧化硅等方法减少作用于LiNbO3芯片上的应力，解决了LiNbO3芯片开裂的技术难点，实现了铌酸锂声表面波SMD的全陶瓷封装，并制定了生产工艺流程。
铌酸锂声表面波SMD的全陶瓷封装
【摘 要】
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文章对铌酸锂声表面波SMD的全陶瓷封装中存在的技术难点及解决方法进行了浅析。通过降低温度梯度，环氧树脂中掺入晶态二氧化硅等方法减少作用于LiNbO3芯片上的应力，解决了LiNbO
【机 构】
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中国电子科技集团公司第五十五研究所
【出 处】
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电子与封装
【发表日期】
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2006年10期
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