【摘 要】
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半导体晶圆背面减薄工艺包含临时键合、研磨、解键合、薄片清洗4个步骤。工艺应力损伤使芯片性能劣化甚至失效,成为大光敏区型InP基探测器芯片的工艺瓶颈,须加以解决。将4个
【机 构】
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中国电子科技集团公司第四十四研究所
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半导体晶圆背面减薄工艺包含临时键合、研磨、解键合、薄片清洗4个步骤。工艺应力损伤使芯片性能劣化甚至失效,成为大光敏区型InP基探测器芯片的工艺瓶颈,须加以解决。将4个主要步骤分别优化,通过降低键合压力、减少研磨损伤层、保护胶隔绝污染、剥离保护胶摈弃刷洗,使芯片成品率从30%提高到95%以上(芯片尺寸?准1000μm)。经过多批次流片验证了此方法的正确性和稳定性,对阵列型芯片研制的成品率意义重大,对企业节省生产成本有积极影响。
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