【摘 要】
：
碳化硅（SiC）金属-氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）器件具有耐高压、耐高温、开关频率高、导通电阻低等特性,但现有的封装材料、工艺在一定程度上限制了SiC MOSFET器件充分发挥其高温特性的优势。以国际主流厂商的SiC MOSFET器件为对象,进行极限高温可靠性评估。对试验后失效器件进行失效机理分析,提出导致器件失效的主要原因并非通常认为的源极键合丝接触电阻增大所致,而是由于栅极键合丝接
【机 构】
：
北京国家新能源汽车技术创新中心有限公司
【基金项目】
：
北京科委基金项目（G180600601）~~；
论文部分内容阅读
碳化硅（SiC）金属-氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）器件具有耐高压、耐高温、开关频率高、导通电阻低等特性,但现有的封装材料、工艺在一定程度上限制了SiC MOSFET器件充分发挥其高温特性的优势。以国际主流厂商的SiC MOSFET器件为对象,进行极限高温可靠性评估。对试验后失效器件进行失效机理分析,提出导致器件失效的主要原因并非通常认为的源极键合丝接触电阻增大所致,而是由于栅极键合丝接触电阻增大导致器件沟道电阻变大,进而导致上述失效。该试验为后续相关工艺的改进提供了参考依据,有利于更好地发挥SiC MOSFET的优势。
其他文献
星系中恒星的形成历史与星系的演化密切相关,同样,恒星形成历史与星系中心的超大质量黑洞也有着关联。有研究表明赛弗特星系中心环绕核心的区域其恒星形成率会受到压制。赛弗特2型星系M51是近邻的（8.4Mpc）、正向的漩涡星系,且其核心的活动星系核活动性较弱,这些都有利于对其核心区域的恒星星族组成进行研究。本文利用HST-STIS高空间分辨率（～2pc）的光栅光谱,研究了M51核区～50pc范围内的比恒星
B介子非轻弱衰变的研究不仅为检验标准模型提供了良好的机会,同时也是探寻超出标准模型的新物理的有力手段。近年来,无论在实验上还是理论上都取得了显著的进步。在实验方面,许多B介子的两体非轻无粲衰变在实验中被观测到,以后,陆续会有更多的B介子衰变道被精确地测量；在理论方面,人们提出了很多计算强子矩阵元的非因子化效应的方法,例如：QCD因子化方法,微扰QCD方法等。本文就是在QCD因子化方法的理论框架下,
近年来,全球各国对责任投资关注度逐渐提高,在投资领域也更加重视环境、社会以及公司治理（ESG）因素的考量。据全球可持续联盟（GSIA）的数据,截至2018年初,全球责任投资资产规模已达30.7万亿美元,占全球总资产管理规模的26%,近半数欧洲的资管市场、超1/4美国的资管市场已采纳ESG投资。可以看出,ESG投资逐渐趋于主流化。由于中国资本市场开放程度不断提升,因此越来越多的国际责任投资开始
令σ（n）表示自然数n的所有正因子的和.设u,v为整数,u>v≥1,若σ（n）=un/v,则称n为u/V—重完全数.当u/v=2时,称n为完全数.令w（n）表示正整数n的不同素因子的个数.2003年,Nielsen得到：设r为不小于2的正整数,若n为至多有r个不同素因子的奇完全数,则n≤24r.本文中我们将上述结果改进得到：定理1设u,v为整数,u>v≥1,若n为u/v-重奇完全数,w（n）≤r,
SAAS （Software as a services,软件服务化）是21世纪新兴起的一种软件应用模式,在SAAS模式中,用户仅需通过浏览器就可实现软件应用。应用程序网络化是实现SAAS的前提,实现单机高效地形可视化算法的网络化应用,对于基于SAAS模式的数字城市建设具有重要意义。相对于网络二维地图,网络三维地形场景具有符号简单、生动逼真特点,但基于网络的三维地形场景可视化研究,受到地形数据量大
中华民族具有悠久的传统文化，在其诞生之初便以其独特的魅力屹立于世界东方，成为世界文化中的一朵奇葩。因此，在史料记载中不得不遵循一定的原则，这些为后世研究以及考察做了充分的史料证据。因此，对史料及典籍的研究是十分有必要的，尤其是对当代素质教育新课改逐渐深化进行的社会教育现状。我国教育部对文化发展以及文言文的学习提出了新的要求，初中阶段对文言文的学习及作用与目的是意义非凡的。
社会性的良好发展对人的一生有着极其重要的影响，尤其在幼儿时期，这是建立良好的社会性发展的关键时期，开展班级特色活动有利于促进幼儿的社会性发展，传统的幼儿园班级特色活动形式单一，幼儿兴致不高，对幼儿的社会性发展并无显著成效，在开展班级特色课程中教师应该创新思维，结合幼儿的身心特点开展活动。
近年来,重才智而轻德育的现象在学校教育中表现得比较明显,这种错误的教育导向不仅给学生的终身发展带来诸多不利影响,同时也让学校的教育成果成为水中月、镜中花。尤其在小学阶段,学生的自制能力较差,而且并未形成一个正确的价值观取向,因此,对小学生这一群体开展德育势在必行。而为了凸显德育教学成果,教师在创建德育活动评价体系时,应多角度、全方面予以考量,以达到增强学生自信心与道德意识的目的。
本文对非钳位感性开关（Unclamped Inductive Switching， UIS）下4H-SiC双沟槽功率MOSFET失效机理进行实验和理论研究。结果表明，不同于平面功率MOSFET器件失效机理，在单脉冲UIS测试下双沟槽功率MOSFET器件的栅极沟槽底角处的氧化层会发生损坏，导致了器件失效。测量失效器件的栅泄漏电流和电阻，发现栅泄漏电流急剧增大，电阻仅为25Ω；失效器件的阈值电压稳定不
几十年来，硅一直主导着晶体管世界。但这种情况已在逐渐改变。由两种或三种材料组成的化合物半导体已被开发出来，提供独特的优势和卓越的特性。例如，有了化合物半导体，我们开发出了发光二极管（LED）。一种类型是由砷化镓（GaAs）和磷砷化镓（GaAsP）组成。其他的则使用铟和磷。问题是，化合物半导体更难制造，也更贵。然而，与硅相比，它们具有显著的优势。新的更高要求的应用，如汽车电气系统和电动汽车（E