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在借助于 micro-Raman 光谱学的多孔的硅微观结构的剩余压力上的试验性的调查被介绍。它被与严肃的剩余压力在整个多孔的硅结构以内复杂地散布的不同的孔在电气化学的蚀刻的多孔的硅样品的表面和剖面图上检测拉曼山峰移动显示出。micro-Raman 光谱学是为在在光电子和微电子学使用的微观结构上测试的剩余应力的一个有效方法,这被证明。CLC 数字 TP206+ 1 Antrag GZ 398, Ghinesisch-Deutsches Zentrum f 眉 r Wissenschaftsf ? rderu