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用固态源分子束外延方法,在GaSb衬底上成功地生长出四元系III-V族锑化物单层、多量子阱和激光器、探测器结构材料,并用这些材料制备了2μm波段室温准连续脊波导AlGaAsSb/InGaAsSb多量子阱.
用分子束外延制备红外锑化物激光器和探测器材料
【摘 要】
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用固态源分子束外延方法,在GaSb衬底上成功地生长出四元系III-V族锑化物单层、多量子阱和激光器、探测器结构材料,并用这些材料制备了2μm波段室温准连续脊波导AlGaAsSb/InGa
【机 构】
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中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室
【出 处】
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材料研究学报
【发表日期】
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2001年1期
【基金项目】
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国家高技术研究发展计划(863计划)
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