论文部分内容阅读
对ＡｌＮ／ＧａｎＨＦＥＴ的低频跨导和输出电阻随温度的变化关系进行了检测，发现了由ＧａＮ沟道层中陷阱作用引起的分散特性，陷阱的激活能量大约为１ｅＶ。
GaNHFET的低频分散特性
【摘 要】
：
对ＡｌＮ／ＧａｎＨＦＥＴ的低频跨导和输出电阻随温度的变化关系进行了检测，发现了由ＧａＮ沟道层中陷阱作用引起的分散特性，陷阱的激活能量大约为１ｅＶ。
【出 处】
：
半导体情报
【发表日期】
：
1996年5期
其他文献
叙述了p沟道GexSi1-x/Si反型基区晶体管（BICFET）的制备，材料特性以及电特性，BICFET是最早采用先进的GexSi1-x/Si制作工艺的双极晶体管，其p 沟道的实现是极为理想的^[1－2]，目前，GexSi1
传统的模拟移相器由一个正交耦合器和两个变容二极管网络组成,其相移随电压连续变化。这些设计在移相范围和尺寸上存在限制,采用集总元件设计其正交耦合器的一种新颖移相器,
为了提高非晶硅/微晶硅叠层电池的转换效率和稳定性,在隧穿结构中引入ZnO∶B中间层,研究了中间层厚度对叠层电池短路电流密度、开路电压、转换效率等性能的影响。实验结果表
本文分析了二芳基硝酮、二芳基乙烯、二芳基偶氮化合物以及芳族重氮化合物的最大吸收波长(λmax)与环上取代基的Hammett σ系数之间的关系。发现λmax的红移量与Σ|σ|之间有
用草酸作为沉淀剂,采用快速共沉淀法成功合成了富锂锰正极材料,并探究了不同沉淀剂/过渡金属的配比对材料性能的影响。采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、充放电测试
目的研究综合护理在高血压并发脑卒中急诊患者中的效果。方法选取我院收治的高血压并发脑卒中急诊患者116例,依据随机数字表法将其分为对照组(常规护理)、观察组(优质综合护
通过理论分析太阳能光伏组件旁路二极管功能实验遮挡测试原理,得出“遮挡电池片时旁路二极管不一定导通”这一结论。结合目前常见的4种内部电路结构光伏组件旁路二极管功能实
采用COMSOL软件对微型高温质子交换膜燃料电池蛇形流场结构进行模型的建立和性能仿真,仿真耦合了质量守恒方程、动量守恒方程、电化学反应方程等。对模型进行求解,通过输出电