立式高真空MOCVD装置及GaN外延生长与器件制备

来源 :真空科学与技术学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:huashaosile
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自行设计了一套具有创新性的研究型立式高真空MOCVD装置,能够较好的调节反应气体的流动状态,从而在衬底上生长大面积均匀的外延层。利用该装置在蓝宝石和硅单晶衬底上成功地生长出高质量的CaN晶体薄膜。在蓝宝石衬底上生长出n、P型GaN以及多量子阱多层结构材料,并成功制备了GaN基多层量子阱结构的蓝光发光二极管,性能良好,具有实用价值。
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