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基于在双面抛光的蓝宝石衬底上采用等离子体增强的分子束外延方法生长了A1GaN基p-A10.45sGaomN／i—A10.35Gao．065N／n—A100.45GaossN结构材料，p型欧姆接触采用电子束蒸发Ni／Au（5nm／5nm）薄层叉指结构电极，制作Tp-i-n型A1GaN日盲紫外探测器．器件的峰值响应波长为273nm．器件在零偏压下的暗电流很小，为nA量级，峰值响应度为8．5mA/W．器件在-5V偏压下，峰值响应率32．5mAW，对应的外量子效率达到15％．