【摘 要】
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基于三维电磁场仿真软件HFSS和类似于准光学天线的集总源法,对一660GHz超导混频器的嵌入阻抗在整个600-720GHz的工作频带范围内进行了详细的分析研究.同时,还系统地分析计算
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基于三维电磁场仿真软件HFSS和类似于准光学天线的集总源法,对一660GHz超导混频器的嵌入阻抗在整个600-720GHz的工作频带范围内进行了详细的分析研究.同时,还系统地分析计算了SIS结芯片的馈点偏移(包括水平偏移和垂直偏移)及芯片厚度和背向短路器长度变化所产生的影响.分析结果表明,该混频器的嵌入阻抗为35Ω左右,而且在整个工作频带内变化缓慢,能够实现宽频带匹配.SIS结芯片馈点的位置对嵌入阻抗没有太大的影响,但芯片厚度的影响非常明显.这些结果对超导SIS混频器的研制有很好的指导意义.
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