【摘 要】
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采用金属有机物化学气相沉积方法生长得到具有不同Mg掺杂浓度InxGa1-xN(0≤x≤0.3)外延材料样品.对样品的电学特性和光学特性进行了系统的研究.研究发现在固定Mg掺杂浓度下,
【机 构】
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北京工业大学电子信息与控制工程学院 北京市光电子技术实验室; 北京工业大学电子信息与控制工程学院; 北京市光电子技术实验室; 北京100022;
【基金项目】
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国家自然科学基金(批准号:60506012);北京市教委重点项目(批准号:KZ200510005003);北京工业大学博士科研启动基金(批准号:52002014200403)资助的课题.~~
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采用金属有机物化学气相沉积方法生长得到具有不同Mg掺杂浓度InxGa1-xN(0≤x≤0.3)外延材料样品.对样品的电学特性和光学特性进行了系统的研究.研究发现在固定Mg掺杂浓度下,随In组分的提高,样品空穴浓度显著提高,最高达2.4×1019cm-3,Mg的活化效率提高了近两个数量级;通过对Mg掺杂InGaN(InGaNMg)样品的光致发光(PL)谱的分析,解释了InGaNMg样品的载流子跃迁机理,并确定了样品中Mg受主激活能和深施主能级的位置.
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