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化合物半导体的组分与膜厚等是光电子器件工艺监控中的关键工艺参数，因为这些参数直接影响着器件的光学和电学等性能。介绍了通过分光光度法和Forouhi．Bloomer离散方程相结合的方法测定化合物半导体薄膜折射率n与膜厚d，通过材料组分与折射率之间关系的分析进而得到化舍物组分％，该结果用SIMS和XRD方法得到验证。由于分光光度法能够快速无损地测量反射率，并且由该反射率能够更准确地测到其组分信息，因此在实际的生产在线监控和工艺改进中有良好的应用前景。