【摘 要】
:
基于硅通孔(TSV,Through Silicon Via)技术的3D IC是一种系统级架构的新方法,内部含有多个平面器件层的叠层,并经由穿透硅通孔在垂直方向实现相互连接。采用这种方式可以大幅
论文部分内容阅读
基于硅通孔(TSV,Through Silicon Via)技术的3D IC是一种系统级架构的新方法,内部含有多个平面器件层的叠层,并经由穿透硅通孔在垂直方向实现相互连接。采用这种方式可以大幅缩小芯片尺寸,提高芯片的晶体管密度,改善层间电气互联性能,提升芯片运行速度,降低芯片的功耗。在设计阶段导入3D IC
3D ICs based on Through Silicon Via (TSV) technology are a new approach to system-level architectures that contain multiple layers of planar device layers stacked on top of each other and are interconnected vertically through TSVs. In this way, the chip size can be drastically reduced, the transistor density of the chip can be increased, the inter-layer electrical interconnection performance can be improved, the operation speed of the chip can be increased, and the power consumption of the chip can be reduced. Import 3D IC at design stage
其他文献
A novel triple RESURF(T-resurf) SOI LDMOS structure is proposed.This structure has a P-type buried layer.Firstly,the depletion layer can extend on both sides of
万福河一级水电站水轮发电机组的主要技术数据如下: (一)水轮机 (1)型号:HL702—WJ—50; (2)功率范围:380—1380瓩; (3)工作水头:名牌规定适用30—70米,实际运行约75米;
多泥沙河流水电站的水轮机的泥沙磨损和汽蚀破坏,是一个十分严重而又普遍的问题。本文列举了许多磨损破坏的实例,并从实践观点概略分析了破坏特征及磨损与汽蚀的联合作用问题
23例小儿脑梗塞的临床及影像分析舒志荣张桂芳李文馨脑梗塞在儿科较少见,易被临床医生忽视,我院自1985—1994年经CT证实小儿脑梗塞23例,现报告如下。一般资料:23例患儿,男16例,女7例,年龄9个月~4岁15例,5~8岁4例,9~12岁
无压引水式电站,在具有较长引水渠道的情况下,大都为非自动调节渠道,在前池中或其附近均没有泄水建筑物。当电站突然增加负荷时,前池水位将急遽降低,形成引水渠道中的不恒定
近期各地高速公路、山路上由大客车、中巴车等引发的恶性交通事故不断,给人民群众生命财产安全造成重大损失。而总结去年包括包茂高速陕西延安安塞段“8·26”特大交通事故等
近年来用中药敷胸及穴位拨罐等方法促进小儿肺炎罗音吸收的报道甚多。我院自1994年1月~1995年1月期间,采用云南白药敷患儿胸部听诊罗音最为密集处,治疗小儿肺炎36例,取得明显疗效
拖拉机在田间作业或运输途中,有时会出现突发故障,面对这种突发事件该怎么办?请看——所谓应急补救,是指拖拉机在农田作业时或运输途中出现故障,暂无备件更换,又远离修理站,
一、磨刀门水道历史时代变迁磨刀门是珠江八大口门中最大的一个,排洪量占西、北江总排洪量21.5%。1968年下泄量达13,380秒立米,占马口站流量32.9%,占西、北江总流量24.7%。它又
一、引言水坠坝通常是由碾压边埂和冲填体两部分组成,冲填体由泥浆冲填而成。水坠坝冲填初期的含水量一般在40%左右,远超过流限,随着坝体的脱水固结,含水量可降到流限以下成