芯片尺寸相关论文
在智能化、微型化飞速发展的时代中,微显示技术已经融入了现代人的生活,混合现实（MR）、虚拟现实（VR）以及增强现实（AR）在未来更有着巨大的......
随着科学技术的发展，偏振光已经广泛应用于影视、通信、生物医学等领域。和光的其它标量参数如功率和波长相比，偏振反映了光场的矢量......
Producing the Smallest DRAM Cell Available to Date Through the Development and Implementation of 6F2
As lithography progresses into the sub-100 nanometer (nm) realm, the capital investment and technology needed to achieve......
2018年12月24日,德国慕尼黑讯—物联网(IoT)中的M2M通信要求可靠的数据收集和不间断的数据传输。为充分利用无处不在的移动网络,英......
能够帮助车辆提升行驶安全性的24 GHz亚毫米波后侧方雷达传感器实现量产。该传感器主要功能是探测驾驶员视觉盲区的交通情况,比如......
为了获得高的带外抑制，我们设计了一种单相单向换能器与镜像阻抗连结换能器结合的滤波器结构。该结构由双通道组成，每通道上由一个电......
千兆位器件生产时代的污染控制＠ＨｉｒｏｓｈｉＫｉｔａｉｊｉｍａ＠ＹｏｓｈｉｍｉＳｈｉｒａｍｉｚｕ￥ＮＥＣ公司ＶＬＳＩ器件开发研究室千兆位器件生产时代的污染控制ＨｉｒｏｓｈｉＫｉｔａｉｊｉｍａ和ＹｏｓｈｉｍｉＳｈｉｒａｍｉｚｕ著万力译ＮＥＣ公司ＶＬＳＩ器件开...
Gigabit device manufa......
国外消息▲介绍一种新式等离子显象管日本索尼公司最近采用与美国Ｔｅｋｔｒｏｎｉｃｓ电子公司合作开发的等离子地址液晶技术，研制成功一种新式等离子管......
介绍了以栅宽0.4mm 器件为基础的8mm 单级单片 IC 的设计、制造及性能测试等。该单片在32～33GHz,输出功率大于100mw,增益大于3dB,最......
得克萨斯仪器公司的微电子制造科学技术(MMST)计划,正在为九十年代中期发展一种通用的半导体器件制造技术。原位真空处理、组件式......
由于大量的便携式消费产品，如蜂窝电话、无线寻呼机、叶面式计算机和笔记本电脑的发展，1mm以下薄型封装正强烈地渗入日本。然而，美国......
单片行波功率放大器陈雪军，林金庭，陈克金（南京电子器件研究所，２１００１６）ＡＭｏｎｏｌｉｔｈｉｃＴｒａｖｅｌｉｎｇＷａｖｅＰｏｗｅｒＡｍｐｌｉｆｉｅｒ￥ＣｈｅｎＸｕｅｊｕｎ；ＬｉｎＪｉｍｉｎｇ；ＣｈｅｎＫｅｊｉｎ（ＮａｎｊｉｎｇＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃ...
Monolithic traveling wave power amplifier Chen Xuejun, Lin Ji......
本文从实验和理论上对用粉末溅射研制的ＳｎＯ２／ＣｅＯ２酒敏薄膜的性能与膜厚、温度、掺杂量等进行了研究，并根据研究的结果和有关理论对平面薄膜型......
本文给出了一种利用ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ负阻特性实现的微波单片（简称ＭＭＩＣ）有源滤波电路，并考虑到ＭＭＩＣ工艺兼容性，提出了一种ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ变容管结构，从而实现了滤波器的压控功能......
本文介绍了一种可以复益UHP，L、S和c波段的GaAs单片有源移相器．该装置与一个90°混合耦合电路结合、能产生以11．25°阶跃的，从0°～90°......
着重描述了新型莫来石材料的性能、工艺方面的进展情况，探讨了新的封装结构对封装性能的影响，最后得到的封装外壳可很好地满足ＧａＡｓ超高速......
回顾总结了ＭＯＳＶＬＳＩ的发展，展望了未来发展趋势，说明工艺技术的进步以及器件和电路设计的不断改进对ＶＬＳＩ发展的重要作用
Review the development......
Philips Semiconductors最近推出的MIFARF PRO~(R) IC,是首批带有接触式及非接触式接口的高保密性单片智能卡IC。它采用经过实际......
据《日经工卜夕卜o。夕X》1997年第2—10期报道，德国西门子与德国Ruhr大学、奥地利工业大学合作，采用SiGe技术开发了高速2：1分频器IC，......
进入大直径时代的硅材料产业北京有色金属研究总院万群近些年，电子信息产品的发展令人信服地感受到我们所处的时代是信息时代。而信......
迎接深亚微米设计的挑战Ｃａｄｅｎｃｅ ＤｅｓｉｇｎＳｙｓｔｅｍｓ公司Ｂａｒｒｙ Ｄ．Ｂｏｗｅｎ 随着设计逐渐向深亚微米领域转移，为设计者带来了一些重要的挑战。因为在此之前所展开的设计......
研究了ＰＴＣＲ过流保护器在电流作用下的失效模式、失效规律和失效机理，指出ＰＴＣＲ过流保护器的主要失效模式为热冲击作用下的热碎裂，元件的冲击特......
南京电子器件研究所在７６ｍｍ圆片上研制成功超宽带单片功率放大器，芯片尺寸为３．２ｍｍ×１．６ｍｍ×０．１ｍｍ，采用栅长０．５μｍ的ＰＨＥＭＴ为有源器件，在１～２０ＧＨｚ频带范围内测得放大器的线性......
南京电子器件研究所成功地研制出Ｘ波段五位、Ｃ波段六位砷化镓单片数字移相器，该移相器具有体积小、性能优、功耗极低、转换速度快、重......
’2000ISSCC国际固体电路会议于2000年2月7日～9日在美国旧金山市举行,共发表学术论文176篇。所涉及的方面主要为:微处理器、信号处......
高度集成的封装为便携式电子产品包装新型的模拟集成电路芯片
Highly integrated package for portable electronics packaging n......
在东京大学的热动力学研究专家 Seri教授和 Kourin助教的鼎力相助下 ,位于日本东京的住友电子工业公司生长出 2英寸单晶 Ga N衬底 ......
′99IEEEMTT-S国际微波会议,1999年6月在美国阿纳海姆召开。共收到学术论文468篇,与会人数超过1万人,是历次年会中最多的。学术论......
数字和模拟移相器在许多电子系统和电子设备中得到广泛应用 ,南京电子器件研究所最近研究出新颖的超宽带 90°、45°、2 2 .5°、1......
数字用户线(DSL)一直是深受居民用户欢迎的接入手段。直到最近，才将它推向企业级用户，以适应这一市场的特有需要。DSL可为各种业务提......
Motorola的数字 DNA实验室最近宣布 ,阵列间距低于 1 5 0μm的倒装式塑料球栅阵列封装能够在管芯里做出上百条 I/O线。精细的间距......
意法半导体(NYSE:STM)日前宣布了安全智能卡集成电路(IC)平台家族中第一个采用该公司的0.18μm工艺技术制造的成员。向0.18μm加......
新光电器工业公司开发出一种内引线间距为 14 8μｍ的超微细间距加压引线框架“ＱＦＰ 2 16”管脚产品。近年来 ,随着半导体微细化的进展 ,......
美国 IBM公司日前发表了使用铜布线与低介电体层间绝缘膜 (low- k膜 )、设计规格为 90 nm的 ASIC产品“Cu- 0 8”。该产品可以在单......
从最早的照相机出现开始，摄影术历经几个世纪的发展，直到整个世界数字化的今天，最新的摄影术──数码摄影终于以不可逆转之势进入了社......
介绍一种新颖的超小型多倍频程5位GaAs MMIC数字移相器的设计、制造和性能。电路拓扑特定选择工艺参数变化对电性能影响最小的方案......
把更多的功能和更多的门电路集成在一块芯片上的能力——无论你将这块芯片称为SoC(单片系统)、ASIC(专用集成电路)还是称为一块大......
据《Semiconductor World》Vol.2,No.12报道,三星电子公司开发出了一种把LDI的各沟道改用40μm意间距而进行封装的技术。与现有产......
00565 A Balanced 2 Watt Compact PHEMT Power Amplifier MMIC for Ka-Band Applications/S. Chen, E. Reese and K. S. Kong (T......
图1展示一个手机电话系统。它包括RF、基带模拟前端电路、声带编码及解码电路、数字信号处理系统(DSP)、存储器、和电源管理电路等......
