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利用测量得到的［Ｓ］参数和线性噪声参数Ｆｍｉｎ、Ｙｏｐｔ及Ｒｎ来获取器件的非线性本征噪声因子，修正了非线性电路模拟程序中ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ器件噪声因子，并将实验结果与直接优化结果进行了比较。
非线性电路模拟程序中GaAsMESFET器件噪声因子的修正
【摘 要】
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利用测量得到的［Ｓ］参数和线性噪声参数Ｆｍｉｎ、Ｙｏｐｔ及Ｒｎ来获取器件的非线性本征噪声因子，修正了非线性电路模拟程序中ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ器件噪声因子，并将实验结果与直接优化结果进行了比较。
【机 构】
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电子部十三所
【出 处】
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半导体技术
【发表日期】
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1995年2期
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