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应用非微扰散射理论并考虑自发辐射 ,研究了阈上电离过程中光电子的角分布。由于自发辐射的影响 ,电子的角分布具有精细结构 ,成功地解释了Nandor等人的实验观测。
阈上电离过程中光电子角分布的精细结构
【摘 要】
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应用非微扰散射理论并考虑自发辐射 ,研究了阈上电离过程中光电子的角分布。由于自发辐射的影响 ,电子的角分布具有精细结构 ,成功地解释了Nandor等人的实验观测。
【机 构】
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中国科学院上海光学精密机械研究所强光光学开放研究实验室; 中国科学院上海光学精密机械研究所强光光学开放研究实验室 上海201800; 上海201800; 上海201800
【出 处】
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光学学报
【发表日期】
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2004年期
【基金项目】
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国家自然科学基金 (6 0 10 80 0 2 );重点基础研究专项经费资助课题
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