【摘 要】
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三星电子宣布用30 nm级制程工艺开发出世界上首枚64 Gb多电平单元体系结构(一种可用一个单晶体管存储器单元进行多位存储的闪速存储器技术) NAND闪存芯片。在闪存作为计算机
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三星电子宣布用30 nm级制程工艺开发出世界上首枚64 Gb多电平单元体系结构(一种可用一个单晶体管存储器单元进行多位存储的闪速存储器技术) NAND闪存芯片。在闪存作为计算机及数字应用的主要存储介质呈爆炸性需求
Samsung Electronics announced that it has developed the world’s first 64-Gb multi-level cell architecture (a kind of flash memory technology that can use a single-transistor memory cell for multi-bit memory) with a 30 nm process technology to develop a NAND flash memory chip. Demand for flash memory as the main storage medium for computers and digital applications
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