高压BCD集成电路中高压功率器件的设计研究

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户:lau_lfm
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高压功率集成电路的设计与制造因其具有的高技术难度而极具挑战性。所谓高压功率集成电路(HVPIC),是指将需承受高电压(需达数百伏)的特定功率晶体管和其它低压的控制电路部分兼容,制作在同一块IC芯片上。文中以器件模拟软件Medici为工具,用计算机仿真的方法,研究了高压BCD电路中高压功率器件的设计问题,其中包括器件结构、掺杂浓度、结深等主要参数及其它一些技术因素对器件耐压的影响,并给出了相应物理意义上的分析。根据这一设计,在国内进行了一块高压功率BCD集成电路的试制,经测试,耐压超过660伏,输出功率40
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