高压功率器件相关论文
随着功率双极集成电路在军民两用的各种电源管理、功率驱动等领域中应用日益广泛，集成电路工作电压逐步提高，原有工艺技术和工艺规范......
横向高压功率器件LDMOS(Lateral Diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)有耐高压、增益大、动态范围宽、......
随着CMOS技术的迅猛发展，CMOS工艺已经成为射频集成电路的主流工艺，但CMOS器件击穿电压较小，难以满足射频系统中功率放大器的设计。LD......
横向高压功率器件LDMOSFET有耐压高、增益大、动态范围宽、失真低和易于与低压电路工艺兼容等特点。随着半导体工艺技术的不断成熟......
高压功率集成电路的设计与制造因其具有的高技术难度而极具挑战性。所谓高压功率集成电路（HVPIC），是指将需承受高电压（需达数百伏）的特......
本文介绍了硅片键合技术和键合界面性能及其在高压功率器件、介质隔离器件等方面的应用。......
本文基于ＣＩＦ版图格式的数据结构，开发了一个高压功率器件的版图自动生成器，并利用该软件设计了一个具有双层浮空场板的高压功率ＬＤＭＯＳ的版图，通......
在半导体高压终端研究中，重要的工作之一是终端电场电位分析，国内外以往报道的ＪＴＥ分析结果除采用解析方法外，数值方法主要采用差分或有限......
随着社会的发展,科学技术的不断变革,智能功率集成电路开始在越来越广阔的领域和行业中运用。这不但极大地便利了人们 日常生活,还......
本文对ＬＰＣＶＤ半绝缘多晶硅（ＳＩＰＯＳ）薄膜工艺进行了研究，分析和讨论了工艺参数对薄膜淀积过程以及性能的影响。并较详细介绍了ＳＩＰＯＳ薄膜在高压功率器件领......
华润微电子有限公司（以下简称“华润微电子”）在近日“2012年中国半导体市场年会暨集成电路产业创新大会”上，荣膺“2011年度中国十大......
IGBT自上世纪80年代发明以来,经过30余年的发展,其应用领域不断扩展。其作为最新一代的复合全控型功率器件,具有电压控制、输入阻......
本文介绍了一种高频荧光灯镇流器芯片的设计，在芯片的实现上充分体现了低压控制电路与高压功率器件在单一芯片上的兼容性。论文从该......
为了更好地促进功率集成电路相关技术的研究与应用，本刊拟将2013年第12期辟为“功率集成电路及其应用”专辑．以集中反映这一领域国内......
作为宽禁带半导体的典型代表,碳化硅(SiC)被认为是功率半导体器件的理想材料。与硅(Si)基器件相比,SiC功率器件具有高击穿电压、高......
高压功率电子器件在当今社会的应用已经越来越广泛,占据着不可替代的地位。近年来,随着科研人员的努力及研究的深入,已经出现了很......
IGBT作为最新一代的复合全控型功率器件,具有电压控制、输入阻抗大、驱动功率小、控制电路简单、开关损耗小、工作频率高等诸多优......
本文介绍了高压功率VDMOS器件对外延层的要求;讨论了n~-/n~+高阻厚层外延的工艺难点及解决办法。研制的n~-/n~+高阻厚层外延片已成......
通过在半桥驱动器中使用高压电平位移电路可以得到所需的工作频率而无需脉冲变压器驱动功率开关,提高了电路的频率稳定性.运用MEDI......
期刊
