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为了降低MOCVD外延硅基GaN膜层中的应力、减少硅基厚GaN层的微裂；在高温GaN层中插入低温MN。低温MN插入层可平衡HT-GaN生长和降温过程引起的张应力，降低厚膜外延层的微裂，已研制出厚度超过1．8微米无微裂GaN外延层。本文重点研究了低温A1N生长温度对HT-GaN材料的影响，给出了较佳的LT-MN生长温度。采用扫描电子显微镜（SEM），原子力显微镜（AFM）和高分辨率双晶X射线衍射（DCXRD），对样品进行了测试分析。试验和测试结果表明低温A1N的生长温度至关重要，生长温度过低影响GaN晶体质