靶面淀积参数对真空微电子平板摄像管特性的影响

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【摘要】

：

为了开发用于真空微电子平板摄像管的高灵敏度CdSe多层光导材料,改建了一台能精确控制CdSe材料的蒸发速率、厚度和基体温度的高真空蒸镀设备,开发了由真空热预处理,非真空热

【作者】

：

吕永积邵佑军刘光诒施化芬

【机构】

：

广电总局广科院,中国科学院

【出处】

：

液晶与显示

【发表日期】

：

2002年4期

【关键词】

：

靶面淀积参数真空微电子平板摄像管真空热预处理非真空热处理 CDSE 硒化镉多层光导靶 vacuum microelectronics flat pane

【基金项目】

：

国家自然科学基金

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为了开发用于真空微电子平板摄像管的高灵敏度CdSe多层光导材料,改建了一台能精确控制CdSe材料的蒸发速率、厚度和基体温度的高真空蒸镀设备,开发了由真空热预处理,非真空热后处理二种处理新工艺,制造出了新的高性能的CdSe多层光导靶.使CdSe多层光导靶的灵敏度提高了两个数量级,而清晰度(分辨率)保持不变.介绍了CdSe蒸发工艺对靶面特性的影响.

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