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渐变异质结在HB-LED器件中的应用以及实现技术
渐变异质结在HB-LED器件中的应用以及实现技术
来源 :量子电子学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:czw6243579
【摘 要】
:
本文首先讨论通过渐变方式使异质结处的尖峰消失或减小,从而改善高亮度发光二极管(HB-LED)的器件性能.讨论在实际中用双层突变拟合缓变异质结遇到的问题.
【作 者】
:
刘鲁
范广涵
廖常俊
【机 构】
:
广东轻工职业技术学院机电系,华南师范大学信息光电子科技学院,华南师范大学信息光电子科技学院
【出 处】
:
量子电子学报
【发表日期】
:
2003年6期
【关键词】
:
渐变异质结
HB-LED器件
高亮度发光二极管
双层突变拟合
镓铝铟磷
AlGaInP
heterojunction
graded
LED
【基金项目】
:
广东省广州市科技攻关项目
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本文首先讨论通过渐变方式使异质结处的尖峰消失或减小,从而改善高亮度发光二极管(HB-LED)的器件性能.讨论在实际中用双层突变拟合缓变异质结遇到的问题.
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