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阴极还原处理对多孔硅发光性能的影响
阴极还原处理对多孔硅发光性能的影响
来源 :南昌大学学报:理科版 | 被引量 : 0次 | 上传用户:xtepnui2020
【摘 要】
:
对经过阴极还原处理后的多孔硅样片进行了光致发光测试和稳定性测试。实验结果表明这种处理能明显改善多孔硅的发光稳定性,使其表面结构更加稳定。利用原子力显微镜对不同还原
【作 者】
:
王水凤
戴丽丽
元美玲
【机 构】
:
南昌大学物理学系,南昌大学材料科学系
【出 处】
:
南昌大学学报:理科版
【发表日期】
:
2007年2期
【关键词】
:
多孔硅
阴极还原
发光稳定性
porous silicon
cathode reduction process
photoluminescence sta
【基金项目】
:
江西省自然科学基金资助项目(0312006)(本实验测试得到了南昌大学分析测试中心提供的资助.)
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对经过阴极还原处理后的多孔硅样片进行了光致发光测试和稳定性测试。实验结果表明这种处理能明显改善多孔硅的发光稳定性,使其表面结构更加稳定。利用原子力显微镜对不同还原时间的多孔硅微结构及形貌进行了比较,在一定范围内随着还原时间的增长多孔硅表面粗糙度增大,PL谱增强。
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