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对ULSI中多层铜布线的CMP进行了分析,主要针对铜抛光液的研究现状以及进展进行综述,重点比较了各种不同种类抛光液的抛光效果,以及抛光液对铜和介电层的选择性研究,并提出了目前需要解决的问题,对今后铜抛光研究方向及方法进行了进一步探讨.
多层互连工艺中铜布线化学机械抛光研究进展
【摘 要】
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对ULSI中多层铜布线的CMP进行了分析,主要针对铜抛光液的研究现状以及进展进行综述,重点比较了各种不同种类抛光液的抛光效果,以及抛光液对铜和介电层的选择性研究,并提出了
【机 构】
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中国科学院上海微系统与信息技术研究所半导体功能薄膜工程技术研究中心
【出 处】
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半导体技术
【发表日期】
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2005年8期
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