抛光液相关论文
氮化镓（GaN）因其良好的物理性质和化学特性,被广泛应用在微电子和光电子器件中,是现今集成电路产业中至关重要的第三代半导体材料。......
单晶硅是半导体工业技术发展的核心,广泛应用于集成电路制造业,其表面质量对半导体器件的性能有重要的影响。化学机械抛光（CMP）技术......
通过湿固相机械法制备CeO2悬浮液。在不同温度下焙烧Ce2（CO3）3制备CeO2粉末，以无机酸作为分散剂，采用湿式球磨的方法进行CeO2的分散，分......
随着集成电路的快速发展,技术节点不断缩小,金属布线越趋复杂,互连金属的物理性能要求也越来越高。铜具有低的电阻率和优越的抗电......
该文研究了化学机械抛光（CMP）条件下，锗单晶在含HNO3的SiO2抛光液中的腐蚀过程。通过改变抛光时间，分析锗单晶表面状态的变化规律。结......
光学石英玻璃具有紫外透过率高、耐损性好、内部缺陷小和化学性质稳定等优点,被广泛应用于军工、航天和空间探测等领域,同时也是显......
简介了蓝宝石化学机械抛光(CMP)的基本原理,从磨料、pH调节剂、表面活性剂、配位剂和其他添加剂方面概述了近年来蓝宝石CMP体系的......
钴(Co)的化学机械抛光(CMP)要求有较高的去除速率(大于100 nm/min)和洁净平整的表面.采用新型弱碱性抛光液,研究不同成分(如过氧化......
期刊
碳化硅是一种具有代表性的第三代半导体材料,在现代电子信息产业中占有重要的地位。但是碳化硅硬度大、脆性高、具有化学惰性等特......
本文利用单因素及正交试验探究磨粒种类、抛光液pH值、表面活性剂种类、磨粒粒径对C面蓝宝石化学机械抛光材料去除率的影响,试验结......
为了配制适用于JGS1光学石英玻璃超声波精细雾化抛光的特种抛光液,以材料去除率和表面粗糙度为评价指标,设计正交试验探究抛光液中......
采用高纯度纳米金刚石粉体作为研磨剂，选择合适的分散介质，并加入表面活性剂，超声分散后再经离心处理制成了油基纳米金刚石抛光液。对......
随着我国工业化步伐的不断加快,氟化镁晶体在光学陶瓷及玻璃、红外元件等高技术领域得到了广泛的应用。氟化镁晶体的光学性能主要......
随着计算机磁头与磁盘间间隙的不断减小 ,硬盘表面要求超光滑。制备了一种纳米SiO2 抛光液 ,并研究了镍磷敷镀的硬盘基片在其中的......
磁性复合磨粒化学机械抛光(Magnetic Composite Abrasive Chemical Mechanical Polishing,MCA-CMP)是一种新型化学机械抛光技术,它......
化学机械抛光(CMP)技术几乎是迄今为止唯一可对硅衬底及集成电路互连结构提供全局平面化的的技术。复合磨粒化学机械抛光(CP-CMP)......
关节轴承具有在重载荷、大转矩等工况环境中高效运转的特点,因而被广泛应用于高铁列车中。这种使用要求苛刻的多因素条件,极易造成......
由于LED用蓝宝石衬底材料的加工质量直接影响器件的透光率、优品率、可靠性、综合成本和产品竞争力,目前,对其加工效率和精度的要......
现代电子信息、光电子学、半导体等技术的发展,对精密与超精密加工技术提出了越来越高的要求。随着精密与超精密加工为高端制造业......
硅通孔(TSV)技术是一种先进的封装技术,化学机械抛光(CMP)是集成电路TSV制作过程中的重要步骤之一,是可兼顾材料表面局部和全局平......
为满足介质CMP对平整度、去除速率、良好表面质量的要求,对其抛光液主要成分硅溶胶的生长进行研究,做了一系列关于硅溶胶生长的实......
本文对目前超大规模集成电路钨化学机械抛光(CMP)原理及工艺的一些问题进行了分析,并对用于钨CMP的抛光液进行了研究.......
金刚石具有优异的机械性能、热力学性能、光学性能、声学性能、半导体性能及化学惰性,作为一种全方位的多功能材料,在诸多领域具有......
碲锌镉（CZT）晶体是一种新型三元化合物半导体材料,其电阻率高、原子序数大、禁带宽度大,且随锌含量的不同,禁带宽度从1.4eV（近红外）至2......
磁流变抛光后的KDP晶体表面的残留物影响晶体的使用性能,晶体软脆、易潮解、易开裂的特点使其表面残留物难以去除。本文研究了抛光......
学位
对直径较大的弯管内表面进行抛光加工，使用传统的加工方法很难实现，即使实现了，也产生了一系列的问题，针对这一加工难题，本论文提出了一......
SiO_2抛光液是使用最早和最广泛的抛光液，虽然具有低制备成本、易制备、高选择性等优点，但是其低抛光速率及不能对多层布线中SiO_2介......
化学机械抛光是实现全局平坦化最关键的技术，是机械作用与化学作用平衡的作用的结果，抛光液中微观粒子的研磨作用以及抛光液的化学腐......
Cu-CMP过程对IC半导体工艺的发展尤为重要。鉴于Cu-CMP抛光液的应用性，近十年被广泛地研究，虽然对Cu-CMP抛光液的研究相当广泛，但还是......
将CMP技术用于Al-Mg合金表面加工中,根据抛光布特性及Al-Mg合金性质来选择抛光布。并从研究Al-Mg合金在碱性条件下化学机械抛光机......
使用硅溶胶、pH值调节剂、表面活性剂和氧化剂等组分配制抛光液,通过超声波发生器雾化后,在负压下导入抛光区域界面进行CMP实验,并......
针对A1N基片CMP平坦性问题,从pH值、磨料粒度以及磨料的质量分数等方面研究了抛光液参数对抛光效果的影响.通过对A1N基片进行抛光......
硅单晶抛光片是极大规模集成电路应用最广泛的衬底材料,抛光液为影响硅单晶片抛光最关键的因素。通过改变抛光液中有机胺碱配比来......
研究了碱性阻挡层抛光液中各组分对Cu、Ta和正硅酸乙酯(TEOS)去除速率的影响.通过单因素实验分别考察了磨料、FA/O Ⅱ螯合剂、KNO3......
报告中国国家重点基础研究发展计划(973计划)项目《高性能电子产品设计制造精微化、数字化新原理和新方法》中有关于原子级光滑表......
1 引 言白宝石 (Al2 O3)晶体基片是制备蓝色发光二极管及蓝色激光器的基础材料 ,其表面质量的好坏直接影响到器件的性能和成品率......
从磷酸盐激光玻璃的成分和结构出发,分析了其化学机械抛光(CMP)机制.通过实验验证了磷酸盐激光玻璃对抛光液pH值具有较强的选择性,......
整流罩在高速飞行中既要对空气进行整流,同时又起光学窗口的作用.蓝宝石材料硬度高,加工非常困难.分别从精磨模、精磨磨料、抛光膜......
ULSI制造中的层间介质化学机械抛光的发展趋势和要求进行了讨论,分析了铜化学机械抛光的材料去除过程,讨论了酸性和碱性两种铜抛光......
利用静态腐蚀法分别研究了络合剂甘氨酸、氧化剂双氧水、阴离子表面活性剂十二烷基硫酸铵(ADS)、腐蚀抑制剂吡唑在碱性条件下对铜......
研究了化学机械抛光过程中抛光布、抛光液中SiO2溶胶粒径、pH值以及清洗工艺对GaAs抛光片表面粗糙度的影响,为降低粗糙度而保持一......
以p型硅片为衬底,经过旋涂固化制备低介电常数(低k)材料聚酰亚胺。经过化学机械抛光(CMP)过程,考察实验前后低k材料介电性能的变化......
在分析铝的物理化学特性的基础上,对甚大规模集成电路(ULSI)铝布线化学机械抛光(CMP)机理进行研究,确定采用碱性抛光液。阐述了所......
依据铝的电化学腐蚀特性,阐明了碱性条件下铝化学机械抛光(CMP)的机理。由于铝的硬度较低,在抛光过程中容易产生微划伤等缺陷,因此......
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