【摘 要】
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分别于真空和氮气气氛中,在1650,1750和1850℃对硅/碳化硅进行高温处理,通过光学显微镜、扫描电镜和X射线衍射仪研究了硅/碳化硅的组织变化.结果表明：氮气氛下,α子晶在界面能
【机 构】
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九江学院材料科学与工程系,西安交通大学材料科学与工程学院
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分别于真空和氮气气氛中,在1650,1750和1850℃对硅/碳化硅进行高温处理,通过光学显微镜、扫描电镜和X射线衍射仪研究了硅/碳化硅的组织变化.结果表明：氮气氛下,α子晶在界面能驱动下,通过基面以层状形式不断聚合长大,最终以完全“吞食”所包裹的β-SiC来完成相转变;在真空条件下,除了前一种方式外,还有一定的蒸发-凝聚烧结机制存在,两者同时作用使得比氮气条件下有较快的β-SiC转化速度.转化驱动力随温度的上升而提高.1 850℃氮气环境下处理的材料仍有少量β相存在,而真空1 750℃处理后就能得到单一
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