论文部分内容阅读
在４８８ｎｍ的Ａｒ＾＋激光激发下，Ｓｉ覆盖的部分氧化多孔硅（ＰＯＰＳ）的光致发光谱（ＰＬ）在１．７８ｅＶ处展示了一个稳定的ＰＬ峰，它的强度达到刚制备多孔硅的发光强度。使用Ｘ射线衍射、Ｒａｍａｎ散射、傅里叶变换红外吸收和电子自旋共振等对其发光机理进行了系统的研究。结果表明，这个增强的ＰＬ峰不是起源于量子限制硅晶粒中的带带复合，也不是起源于样品表面局域态或硅晶粒与氧化物之间的界面态的辐射复合。通过与Ｇ