【摘 要】
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宽禁带半导体氮化镓(GaN)器件具有高压、高速、高功率、高效率、耐高温等优点,针对未来功率电子应用,GaN器件具有传统Si材料器件所不可比拟的优势。Si基GaN(GaN-on-Si)功率半
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宽禁带半导体氮化镓(GaN)器件具有高压、高速、高功率、高效率、耐高温等优点,针对未来功率电子应用,GaN器件具有传统Si材料器件所不可比拟的优势。Si基GaN(GaN-on-Si)功率半导体技术由于使用Si衬底材料,可在大直径硅晶圆上外延GaN且具有与传统Si工艺兼容等优势,成为未来功率半导体技术发展的理想选择。在此从GaN-on-Si功率半导体所涉及的GaN外延技术、器件耐压优化、增强型器件技术、电流崩塌效应、Si工艺兼容、功率集成、器件可靠性等多个方面报道了GaN-on-Si功率半导体技术的最新研究进展,并分析了GaN-on-Si功率半导体技术未来面临的机遇与挑战。
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