非对称型门极换流晶闸管的优化设计

来源 :哈尔滨工程大学学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：WUBING999

【摘要】

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根据半导体器件的设计特点和设计原则，对600A／3000V非对称型门极换流品闸管进行了结构参数的优化设计，得到了材料参数与结构参数的关系．阴极采用条状同心环单元发射极排列结构，不

【作者】

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王颖赵春晖曹菲邵雷

【机构】

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哈尔滨工程大学信息与通信工程学院,辽宁大学物理系

【出处】

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哈尔滨工程大学学报

【发表日期】

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2007年9期

【关键词】

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功率半导体器件优化设计门极换流晶闸管缓冲层透明阳极 power semiconductor device optimal design gate c

【基金项目】

：

哈尔滨工程大学基础研究基金资助项目（002080260727）.

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根据半导体器件的设计特点和设计原则，对600A／3000V非对称型门极换流品闸管进行了结构参数的优化设计，得到了材料参数与结构参数的关系．阴极采用条状同心环单元发射极排列结构，不仅可以提高单元承受应力的能力，而且可使单元均匀性得到改善．应用数值分析，使器件的透明阳极和缓冲层等关键结构的掺杂分布、区域宽度以及少子寿命得到优化，计算结果满足设计的要求．

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