【摘 要】
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随着DRAM技术面临密度扩展瓶颈以及高泄漏功耗问题,新型非易失内存(non-volatile memory,NVM)因其非易失、高密度、字节寻址和低静态功耗等特性,已经得到学术界和工业界的广
【机 构】
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华中科技大学武汉光电国家研究中心,华中科技大学计算机科学与技术学院,深圳华中科技大学研究院
【基金项目】
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国家自然科学基金项目（61772222）；深圳市知识创新计划项目(JCYJ20170307172447622)
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随着DRAM技术面临密度扩展瓶颈以及高泄漏功耗问题,新型非易失内存(non-volatile memory,NVM)因其非易失、高密度、字节寻址和低静态功耗等特性,已经得到学术界和工业界的广泛关注.新型非易失内存如相变内存(phase change memory,PCM)很可能替代DRAM或与DRAM混合作为系统主内存.然而,由于NVM的非易失特性,存储在NVM的数据在面临系统故障时可能由于部分更新或内存控制器写重排序而产生不一致性的问题.为了保证NVM中数据的一致性,确保对NVM写操作的顺序化和持久化是
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