砷化镓超高速电路用SI—GaAs材料：Ⅰ.砷化镓超高速电路...

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【摘要】

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<正> SI—GaAs(半绝缘砷化镓)材料是研制GaAs VHSIC((超高速集成电路)和MMIC(单片微波集成电路)的重要的衬底材料,SI—GaAs晶片的质量对GaAs集成电路的性能和成品率有很重要

【作者】

：

鄢俊明

【机构】

：

电子科大

【出处】

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微电子学

【发表日期】

：

1991年4期

【关键词】

：

超高速电路集成电路 SI-GAAS材料

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<正> SI—GaAs(半绝缘砷化镓)材料是研制GaAs VHSIC((超高速集成电路)和MMIC(单片微波集成电路)的重要的衬底材料,SI—GaAs晶片的质量对GaAs集成电路的性能和成品率有很重要的影响。离子注入掺杂(在SI—GaAs中形成有源层、欧姆接触层、电阻层等),是制造GaAs集成电路的关键工艺。由于GaAs(具有一定极性的Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体)与Si(非极

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