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根据高产额（〉１．５×１０＾１０ｎ／ｓ）中子管对引出／加速系统的要求，完成了在１８０ｋＶ引出／加速电压下，加速离子束流１．１ｍＡ的新型屏蔽式引出／加速系统的物理设计，与普通中子管比较，加速电压增加５０％，束流增加一个数量级，中子产额增加一个量级，实现了系统的结构优化，经长期实践考验证明，系统的物理设计合理，为更高产额中子管的研制奠定了基础。