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全面介绍了多晶硅薄膜晶体管（TFT）紧凑模型的现状和应用前景，简单说明了多晶硅TFT特有的电学特性，这是多晶硅TFT建模的基础，重点介绍了基于阈值电压和基于表面势的多晶硅TFT紧凑模型的研究进展，并对这些模型进行了评述，其中RPI模型是基于闽值电压的TFT模型的典范。虽然TFT模型已经有所发展，但成熟度还远远不够。最后提出了改进多晶硅TFT模型的方向和策略，包括二维器件模拟的应用、基于表面势模型的发展、多晶硅材料特性的应用、统一模型的发展、短沟效应的建模和参数提取等。