【摘 要】
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报导了研制成功的SiO_2掩蔽的电极条形结构GaAs—AlGaAs双异质结侧面发光二极管的制造工艺,主要电光参数及稳定性和可靠性。该器件在100mA工作电流下输出光功率最高的达2.4mW
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报导了研制成功的SiO_2掩蔽的电极条形结构GaAs—AlGaAs双异质结侧面发光二极管的制造工艺,主要电光参数及稳定性和可靠性。该器件在100mA工作电流下输出光功率最高的达2.4mW。工作电流一般可达200mA,最好的可达400mA。辐射率S在200mA下高达1490w/cm~2sr。室温下工作寿命可达1×10~4小时。
The fabrication process of GaAs-AlGaAs double heterostructure LED with stripe structure of SiO 2 masked electrode was reported. The main electro-optical parameters, stability and reliability were reported. The device output power of up to 2.4mW at 100mA operating current. Operating current is generally up to 200mA, the best up to 400mA. Emissivity S at 200mA up to 1490w / cm ~ 2sr. Working life at room temperature up to 1 × 10 ~ 4 hours.
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