【摘 要】
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电调变容管的C—V特性取决于外延层掺杂浓度分布。为了获得常γC—V特性,外延层掺杂浓度分布应为幂函数。本文假设了一种与实际常γ外延材料掺杂浓度分布比较接近的浓度分布
【机 构】
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南京电子器件研究所,南京电子器件研究所,南京电子器件研究所 210016,210016,210016
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电调变容管的C—V特性取决于外延层掺杂浓度分布。为了获得常γC—V特性,外延层掺杂浓度分布应为幂函数。本文假设了一种与实际常γ外延材料掺杂浓度分布比较接近的浓度分布函数,导出了C—V计算公式,并给出器件设计方法。采用平面扩散管芯结构,制得了γ=1和1.25的GaAs电调变容二极管,在2～18GHz宽带线性压控振荡器中获得了满意的使用结果。
The C-V characteristic of the ESC is dependent on the doping concentration of the epitaxial layer. In order to obtain a constant γC-V characteristic, the epitaxial layer doping concentration distribution should be a power function. In this paper, we assume a concentration distribution function that is close to the doping concentration distribution of the actual γ-epitaxial material. The C-V calculation formula is derived and the device design method is given. The planar diffused die structure was used to fabricate GaAs ESC with γ = 1 and 1.25. Satisfactory results were obtained in 2 ~ 18GHz wideband linear voltage controlled oscillator.
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