【摘 要】
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本文通过实验和分析表明,Fe—Si单晶中稳定的解理裂纹核,由n个[001]型Cottrell位错构成,n随局部应力σ升高而下降。滑移面上塞积位错数m=10.7×(n-1/4)。如果不含氢,室温时n0和
【机 构】
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北京科技大学金属物理教研室,北京科技大学金属物理教研室,北京科技大学金属物理教研室
【出 处】
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中国科学(A辑 数学 物理学 天文学 技术科学)
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本文通过实验和分析表明,Fe—Si单晶中稳定的解理裂纹核,由n个[001]型Cottrell位错构成,n随局部应力σ升高而下降。滑移面上塞积位错数m=10.7×(n-1/4)。如果不含氢,室温时n0和m0。很大,塞积应力m0τ0足可使其它滑移系开动,故不会形成稳定的解理裂纹核,试样韧断。如有氢,它一方面能促进位错的增殖和反应;另一方面,带氢位错反应生成[001]位错时,氢复合成H2,它产生的内压p和σ叠加,从而使n*<n0,m*<m0。这时,塞积应力m*τ0较小,故容易生成稳定的解理裂纹核,即氢促进了解理断裂。这已为实验所证实。
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