【摘 要】
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采用反应射频磁控溅射方法制备Zn1-x，MnxO薄膜（0≤2x≤0．25），并在不同温度下进行退火处理。通过原子力显微镜、薄膜x射线衍射、透射电子显微镜和透射光谱对薄膜的成分、表面形貌、
【机 构】
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大连理工大学三束材料改性教育部重点实验室,大连大学机械工程学院
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采用反应射频磁控溅射方法制备Zn1-x，MnxO薄膜（0≤2x≤0．25），并在不同温度下进行退火处理。通过原子力显微镜、薄膜x射线衍射、透射电子显微镜和透射光谱对薄膜的成分、表面形貌、微结构和光学性质进行了研究。结果表明，薄膜结晶质量明显地依赖于掺杂Mn元素的浓度，所有薄膜都表现了沿（002）晶面方向择优取向生长，当Mn含量为7％时，Mn完全进入ZnO晶格，无纳米级第二相析出，当Mn含量超过13％时，会有ZnMnO3杂相析出。Mn掺杂ZnO薄膜（Zn1-xMn20，O,x≈0．07）经600～800℃退
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ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清华大学发明人:隋森芳文摘:本发明属于生物技
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清华大学发明人:隋森芳文摘:本发明属于生物技
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