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本文在非平衡状态下,研究了具有Dirichlet边界条件的稳态半导体模型的解的渐近性态.首先,对N维半导体模型,结合解在L∞和H1空间一致有界性,论证了奇异摄动问题的解的极限满足相应的退化问题且在H1中弱收敛.然后,对一维半导体模型,进一步证明了解在H1中强收敛.
半导体技术中数学模型的渐近分析
【摘 要】
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本文在非平衡状态下,研究了具有Dirichlet边界条件的稳态半导体模型的解的渐近性态.首先,对N维半导体模型,结合解在L∞和H1空间一致有界性,论证了奇异摄动问题的解的极限满足
【机 构】
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南京邮电学院应用数理系
【出 处】
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应用数学
【发表日期】
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2001年1期
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