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以碳化硅和铝粉为原料，均匀混合后在不同气氛中于2000℃下保温0．5h制得粉体。用X射线衍射分析（XRD）和扫描电子显微镜（SEM）对其进行表征。同时在8．2～12．4GHz频率范围内测试其介电性能。结果表明：在N2气氛中，当铝的含量较少时，未出现AIN物相，当铝含量超过10at%时，AIN相开始出现，并且AIN的含量随着铝含量的增加而增加。掺杂铝样品与未掺杂铝样品相比，其介电常数实部ε′和介电损耗tanδ皆降低，且随着铝含量的增加而逐步降低，主要是因为AIN具有较低的介电常数实部和损耗。