深亚微米CMOS集成电路抗热载流子效应设计

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【摘要】

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热载流子效应(HCE)、电介质击穿、静电放电,以及电迁移等失效机理,已经对VLSI电路的长期可靠性造成了极大的威胁.其中,热载流子效应是最主要的失效机理之一.影响CMOS电路热载

【作者】

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陈曦庄奕琪杜磊胡净

【机构】

：

西安电子科技大学

【出处】

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微电子学

【发表日期】

：

2003年6期

【关键词】

：

深亚微米 CMOS集成电路热载流子效应可靠性设计 Hot-carrier effect Design for reliability Deep subm

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热载流子效应(HCE)、电介质击穿、静电放电,以及电迁移等失效机理,已经对VLSI电路的长期可靠性造成了极大的威胁.其中,热载流子效应是最主要的失效机理之一.影响CMOS电路热载流子效应的因素有:晶体管的几何尺寸、开关频率、负载电容、输入速率以及晶体管在电路中的位置.通过对这些因素的研究,提出了CMOS电路热载流子可靠性设计的通用准则.

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