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<正>一、概述作为一种新型电子和光电子器件半导体材料,氮化镓(Ga N)与碳化硅(Si C)一起,被认为是继第1代锗(Ge)、硅(Si)半导体材料、第2代砷化镓(Ga As)和磷化铟(In P)化合物半导体材料之后的所谓第3代半导体材料,其研究与应用是目前全球半导体产业化研究的前沿和热点之一。它具有带隙宽(而且是直接带隙)、键强度大、电子迁移率高、化学稳定性好(几乎不被任何酸腐蚀)等优良性质和强