【摘 要】
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采用浸渍-提拉法制备了一系列石墨烯氧化物（GO）薄膜,并通过X射线衍射（XRD）,扫描电镜（SEM）,傅里叶变换红外光谱,紫外-可见吸收光谱和光电化学测量等技术对样品进行了表征.在GO电极上
【基金项目】
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国家重点基础研究发展规划项目（973） （2011CB933302,2010CB933703）,上海市科学技术委员会纳米项目（1052nm01800）及复旦大学研究生创新基金资助
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采用浸渍-提拉法制备了一系列石墨烯氧化物（GO）薄膜,并通过X射线衍射（XRD）,扫描电镜（SEM）,傅里叶变换红外光谱,紫外-可见吸收光谱和光电化学测量等技术对样品进行了表征.在GO电极上观察到阴极光电流,且光电流密度受薄膜的厚度影响.GO薄膜电极厚度为27 nm时,光电流密度为0.25 μA·cm-2.此外,GO电极的光电响应还受紫外光照影响,随着紫外光照时间的延长,阴极光电流逐渐减小.该工作提供了简便的通过控制薄膜厚度或紫外光照时间来控制GO薄膜半导体光电化学性能的方法.
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