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目的研究衬底温度与ＧａＮ形貌及其性能之间的关系．方法用氢化物化学气相沉积方法，在不同类型的衬底，Ｓｉ（１１１），Ｓｉ（１００），ＧａＡｓ，ＧａＰ（１１１）的Ｐ和Ｇａ面上气相生长ＧａＮ薄膜材料，生长是在低于７００℃的温度下进行的。用ＸＲＤ，霍尔测量，阴极荧光及原子力显微镜表征薄膜的性质．结果发现温度和衬底类型影响生长层的形貌．结论分析结果显示在光学性质和生长层形貌之间没有明显的关系