我国研制成功面向3mm波段的InGaAs/InP双异质结双极型晶体管

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近日,中国科学院微电子研究所微波器件与集成电路研究室(四室)金智研究员领导的课题组成功研制出面向3mm波段的InGaAs/InP双异质结双极型晶体管。毫米波频段是满足日益强烈的高精度探测及高速率数据通信要求的关键资源。继8mm波段(26.5~40GHz)之后,3mm波段(75~111GHz)成为世界 Recently, the research group headed by Professor Jin Zhi, Laboratory of Microwave Devices and Integrated Circuits, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences (IV) successfully developed the InGaAs / InP double heterojunction bipolar transistor for 3mm band. The millimeter-wave band is a key resource to meet the increasingly demanding requirements of high-precision probing and high-rate data communications. Following the 8mm band (26.5 ~ 40GHz), the 3mm band (75 ~ 111GHz) has become the world
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