【摘 要】
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采用热压烧结工艺制备了Ａｌ２Ｏ３／ＴｉＢ２／ＳｉＣｗ陶瓷复合材料，研究了ＳｉＣ晶须含量对其高温氧化行煌影响。用ＸＲＤ，ＳＥＭ，ＴＥＭ／ＥＤＳ分析了材料氧化后的相组成及显向结构，探讨了该材料的氧化机理。结果表明：不同ＳｉＣｗ含量的Ａｌ２Ｏ３／ＴｉＢ２／ＳｉＣｗ陶瓷材料在１４００℃
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采用热压烧结工艺制备了Ａｌ２Ｏ３／ＴｉＢ２／ＳｉＣｗ陶瓷复合材料，研究了ＳｉＣ晶须含量对其高温氧化行煌影响。用ＸＲＤ，ＳＥＭ，ＴＥＭ／ＥＤＳ分析了材料氧化后的相组成及显向结构，探讨了该材料的氧化机理。结果表明：不同ＳｉＣｗ含量的Ａｌ２Ｏ３／ＴｉＢ２／ＳｉＣｗ陶瓷材料在１４００℃空气中氧化３０ｈ的氧化增重符合抛物线规律。
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