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介绍了通过二氧化硅增透膜来提高GaN基LED光提取效率，采用等离子体增强气相沉积法（PECVD）制备了二氧化硅钝化膜，经对器件的测试表明，在器件上沉积二氧化硅增透膜能够使器件的出光效率提高28．4％，同时提高了器件的可靠性。
二氧化硅钝化膜提高GaN基LED光提取效率的研究
【摘 要】
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介绍了通过二氧化硅增透膜来提高GaN基LED光提取效率，采用等离子体增强气相沉积法（PECVD）制备了二氧化硅钝化膜，经对器件的测试表明，在器件上沉积二氧化硅增透膜能够使器件的出光
【机 构】
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西安工业大学光电工程学院
【出 处】
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工具技术
【发表日期】
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2012年7期
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