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用PECVD法直接沉积的非晶硅（a-Si：H）薄膜用传统炉在中温退火，然后用拉曼光谱、XRD和SEM分析，发现晶粒大小随退火温度和退火时间呈现量子态现象。分析发现在传统炉中850℃下退火三个小时晶粒大小出现极大值，平均晶粒尺寸为30nm左右。
玻璃衬底上中温制备多晶硅薄膜的量子态现象
【摘 要】
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用PECVD法直接沉积的非晶硅（a-Si：H）薄膜用传统炉在中温退火，然后用拉曼光谱、XRD和SEM分析，发现晶粒大小随退火温度和退火时间呈现量子态现象。分析发现在传统炉中850℃下退火三
【机 构】
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郑州大学材料物理教育部重点实验室
【出 处】
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人工晶体学报
【发表日期】
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2006年1期
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