超高速触发电路

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1.绪言近几年来,随着集成电路制造技术的发展,数字集成电路的开关速度也正在极其迅速地提高,传递时延为1毫微秒左右的电路已近达实用。不过在集成电路中,晶体管的f_T 要达到5~7千兆赫却受到成品率以及为了进行元件隔离而产生的寄生静电电容等条件的制约, 1. Introduction In recent years, with the development of integrated circuit manufacturing technology, the speed of switching of digital integrated circuits is also rapidly increasing. It is practical to transmit a circuit with a delay of about 1 nanosecond. However, in the integrated circuit, the transistor f_T to reach 5 to 7 gigahertz has been subject to yield and parasitic capacitance generated for component isolation and other conditions,
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