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引言
在电子行业，集成电路的应用非常广泛，每年都有许许多多通用或专用的集成电路被研发与生产出来，本文将对集成电路的应用以及发展作一全面的阐述。
1、集成电路概述
集成电路，英文为Integrated Circuit，缩写为IC；即采用一定的工艺，将一个系统中所需的电阻、电容、晶体管等等元件布线互连在一起，形成一块能实现特定功能的微系统。它是经过氧化、光刻、扩散、外延、蒸铝等半导体制造工艺，把这个微系统中所需的部件如半导体、电容、电阻以及它们之间的连接导线全部集成在一小块硅片上，然后焊接封装在一个管壳内的电子器件。从外观上看，它是一个完整器件，在大小、能耗、寿命、可靠性等方面远优于晶体管期间电路，目前已广泛应用于工业或生活的电子设备中。
2、集成电路的发展历程
1947年晶体管的出现标志着集成电路的工业就此起步。1950年结型晶体管的诞生是集成电路发展史上一个重大的里程碑。1951年场效应晶体管发明。1958年美国德州仪器（TI）公司的科学家们研制出世界上第一块集成电路。1959年美国仙童（Fairchilds）的诺伊斯研制出用于IC的Si平面工艺，这对集成电路的工业化生产铺平了道路。60年代出现TTL门电路，并得到广泛应用。70年代MOL门的出现逐渐取代了TTL门电路，64K DRAM是其典型的产品。80年代VLSI（超大规模集成电路）的出现，使得IT行业进入崭新阶段，越来越多的产品蜂拥而至。90年代至今，GSI（巨大规模集成电路）成为IC行业的主流。
3、集成电路的工艺指标
3.1集成度
集成度是以一个芯片所包含的门电路（或器件）的个数来衡量的，集成度的不断增高，使得单位面积上的门电路越来越多，实现的功能越来越强大，速度和可靠性越来越高、功耗进一步降低、成本也越来越小，因此说集成度的高低是IC行业发展水平的体现。在集成度如此之高的今天。要想更进一步提高集成度，一般采取增大芯片面积、缩小器件特征尺寸等等措施；集成度的提高是IC进入偏上系统（SoC）时代。
3.2特征尺寸
特征尺寸是器件中最小线条的宽度，也为最小线条宽度和线条间距之和的一半。如何减小特征尺寸对于集成度的提高有着重大意义，其技术支持主要取决于光刻。现如今，IC的特征尺寸已经向深亚微米发展，已经在大批量生产的尺寸是0.15μm 、0.13μm、90nm工艺，Intel公司目前已研制出65nm技术。
3.3光刻
光刻技术指在集成电路的制造过程中使用的化学—物理刻蚀方法。将电路图形制成的模板“复制”到电路板上。随着半导体激素的成熟，光刻技术传递图形的尺寸缩小了3个量级。从常规光学技术，到现在的电子束、微离子束技术；使用波长从过去4000埃，到如今的 0.1埃。光刻技术已然成为一种极其精密的微细加工技术。
3.4封装
封装就是将已经能实现功能的集成电路用一定方法，安放、固定、密封等技术。以防止芯片滑动，避免空气中的杂质污染电路而对其产生影响，同时封装的当的芯片易于包装运输，不易损坏。封装技术的高低影响芯片自身的性能以及和它相连的PCB的设计制造，所以说封装也是集成电路生产中至关重要的一环。
4、集成电路未来发展趋势及新技术
4.1集成电路发展趋势
随着微电子工艺技术的持续发展和成熟，集成电路已进入超深亚微米时代， 高集成度、高速度、高性价比、低功耗仍然是IC业发展的目标
1）器件特征尺寸持续缩小
自1965年以来，纵向来看，集成度每年都有所提高，平均每过18个月，集成度就翻一番，持续地按摩尔定律增长，这是基于栅长不断缩小的结果。IC技术作为50年来发展最为迅猛的技术，设计规则从1959至今已近缩小了138倍，晶体管的价格更是从原先的天价到现在的”白菜价”，如果房地产能按此速度降价，那么如今人们能每天搬家了。
2）系统集成芯片（SoC）
从横向看，集成电路不仅在自身设计发展方向上寻求进展，更是与不同类型的集合电路结合新的学科或专业知识，不断改变着传统分工的格局。如今已形成各式各样的片上系统（SoC，System on Chip）。SoC的出现实现了集成电路工业的第四次飞跃，必将引领一次以系统芯片为主体的信息产业革命。
3）学科结合将带动关联发展
微电子工业技术的持续发展和应用领域的不断扩大，与其他一些交叉学科及其有关技术结合，共同发展。例如微电机系统、光电系统、嵌入式系统，医学物理——将物理学的原理和方法应用于人类疾病预防、诊断、治疗和保健的交叉学科——它们都将取得明显进展。
4）未来应用
性价比的不断攀升是集成电路发展源源不断的动力，在今后的若干年内，摩尔定律还将继续起作用。集成电路与系统之间的界限已经被打破，成为了各行各业智能工作的基石。
4.2集成电路发展新技术
1）无焊内建层技术。
2）微组装技术。
3）纳米级光刻技术。
4）微细加工技术。
5）铜互连技术。
6）应变硅材料制造技术。
（作者单位：湖南汽车工程职业学院）
在电子行业，集成电路的应用非常广泛，每年都有许许多多通用或专用的集成电路被研发与生产出来，本文将对集成电路的应用以及发展作一全面的阐述。
1、集成电路概述
集成电路，英文为Integrated Circuit，缩写为IC；即采用一定的工艺，将一个系统中所需的电阻、电容、晶体管等等元件布线互连在一起，形成一块能实现特定功能的微系统。它是经过氧化、光刻、扩散、外延、蒸铝等半导体制造工艺，把这个微系统中所需的部件如半导体、电容、电阻以及它们之间的连接导线全部集成在一小块硅片上，然后焊接封装在一个管壳内的电子器件。从外观上看，它是一个完整器件，在大小、能耗、寿命、可靠性等方面远优于晶体管期间电路，目前已广泛应用于工业或生活的电子设备中。
2、集成电路的发展历程
1947年晶体管的出现标志着集成电路的工业就此起步。1950年结型晶体管的诞生是集成电路发展史上一个重大的里程碑。1951年场效应晶体管发明。1958年美国德州仪器（TI）公司的科学家们研制出世界上第一块集成电路。1959年美国仙童（Fairchilds）的诺伊斯研制出用于IC的Si平面工艺，这对集成电路的工业化生产铺平了道路。60年代出现TTL门电路，并得到广泛应用。70年代MOL门的出现逐渐取代了TTL门电路，64K DRAM是其典型的产品。80年代VLSI（超大规模集成电路）的出现，使得IT行业进入崭新阶段，越来越多的产品蜂拥而至。90年代至今，GSI（巨大规模集成电路）成为IC行业的主流。
3、集成电路的工艺指标
3.1集成度
集成度是以一个芯片所包含的门电路（或器件）的个数来衡量的，集成度的不断增高，使得单位面积上的门电路越来越多，实现的功能越来越强大，速度和可靠性越来越高、功耗进一步降低、成本也越来越小，因此说集成度的高低是IC行业发展水平的体现。在集成度如此之高的今天。要想更进一步提高集成度，一般采取增大芯片面积、缩小器件特征尺寸等等措施；集成度的提高是IC进入偏上系统（SoC）时代。
3.2特征尺寸
特征尺寸是器件中最小线条的宽度，也为最小线条宽度和线条间距之和的一半。如何减小特征尺寸对于集成度的提高有着重大意义，其技术支持主要取决于光刻。现如今，IC的特征尺寸已经向深亚微米发展，已经在大批量生产的尺寸是0.15μm 、0.13μm、90nm工艺，Intel公司目前已研制出65nm技术。
3.3光刻
光刻技术指在集成电路的制造过程中使用的化学—物理刻蚀方法。将电路图形制成的模板“复制”到电路板上。随着半导体激素的成熟，光刻技术传递图形的尺寸缩小了3个量级。从常规光学技术，到现在的电子束、微离子束技术；使用波长从过去4000埃，到如今的 0.1埃。光刻技术已然成为一种极其精密的微细加工技术。
3.4封装
封装就是将已经能实现功能的集成电路用一定方法，安放、固定、密封等技术。以防止芯片滑动，避免空气中的杂质污染电路而对其产生影响，同时封装的当的芯片易于包装运输，不易损坏。封装技术的高低影响芯片自身的性能以及和它相连的PCB的设计制造，所以说封装也是集成电路生产中至关重要的一环。
4、集成电路未来发展趋势及新技术
4.1集成电路发展趋势
随着微电子工艺技术的持续发展和成熟，集成电路已进入超深亚微米时代， 高集成度、高速度、高性价比、低功耗仍然是IC业发展的目标
1）器件特征尺寸持续缩小
自1965年以来，纵向来看，集成度每年都有所提高，平均每过18个月，集成度就翻一番，持续地按摩尔定律增长，这是基于栅长不断缩小的结果。IC技术作为50年来发展最为迅猛的技术，设计规则从1959至今已近缩小了138倍，晶体管的价格更是从原先的天价到现在的”白菜价”，如果房地产能按此速度降价，那么如今人们能每天搬家了。
2）系统集成芯片（SoC）
从横向看，集成电路不仅在自身设计发展方向上寻求进展，更是与不同类型的集合电路结合新的学科或专业知识，不断改变着传统分工的格局。如今已形成各式各样的片上系统（SoC，System on Chip）。SoC的出现实现了集成电路工业的第四次飞跃，必将引领一次以系统芯片为主体的信息产业革命。
3）学科结合将带动关联发展
微电子工业技术的持续发展和应用领域的不断扩大，与其他一些交叉学科及其有关技术结合，共同发展。例如微电机系统、光电系统、嵌入式系统，医学物理——将物理学的原理和方法应用于人类疾病预防、诊断、治疗和保健的交叉学科——它们都将取得明显进展。
4）未来应用
性价比的不断攀升是集成电路发展源源不断的动力，在今后的若干年内，摩尔定律还将继续起作用。集成电路与系统之间的界限已经被打破，成为了各行各业智能工作的基石。
4.2集成电路发展新技术
1）无焊内建层技术。
2）微组装技术。
3）纳米级光刻技术。
4）微细加工技术。
5）铜互连技术。
6）应变硅材料制造技术。
（作者单位：湖南汽车工程职业学院）