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研究了应变Si沟道引入对薄膜全耗尽SOI MOSFET器件特性的影响，并分析了器件特性改进的物理机理。与传统的SOI MOSFET结构相比，器件的驱动电流和峰值跨导都有明显提高，对n-FET分别为21%和16.3%，对p-FET为14.3%和10%。应变Si沟道的引入还降低了器件的阈值电压，这有益于集成电路中供电电压的降低和电路功耗的减小。另外，本文还对新结构中的Ge含量进行了优化分析，认为当Ge含量为30%时，器件有较好的电特性，而且不会增加器件制作的工艺成本。